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题库

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填空题​

填空题
  • 第一章 PN 结电容主要包括（ ▲ ）和（ ▲ ）两部分。
  • 第一章 MOS 场效应晶体管可分为（ ▲ ）、（ ▲ ）、（ ▲ ）和（ ▲ ）。
  • 第一章 MOS 场效应晶体管的电容主要包括（ ▲ ）、（ ▲ ）、（ ▲ ）和（ ▲ ）。
  • 第一章 双极型晶体管的基本性能参数主要包括（ ▲ ）、（ ▲ ）、（ ▲ ）和（ ▲ ）。
  • 第二章 硅片制备主要包括（ ▲ ）、（ ▲ ）和（ ▲ ）。
  • 第二章 半导体掺杂工艺主要包括（ ▲ ）和（ ▲ ）。
  • 第二章 薄膜制备工艺主要包括（ ▲ ）和（ ▲ ）。
  • 第二章 化学气相淀积工艺主要包括（ ▲ ）、（ ▲ ）和（ ▲ ）。
  • 第二章 物理气相淀积工艺主要包括（ ▲ ）和（ ▲ ）。
  • 第二章 光刻工艺的基本工艺流程：（ ▲ ）。
  • 第二章 刻蚀工艺主要包括（ ▲ ）和（ ▲ ）。

不定项选择题​

不定项选择题
  • 第三章 版图设计规则包括（）。
  • 第三章 集成电路版图验证包括（），其中必做的是（）。
  • 第四章 集成电路中的电阻包括（）。
  • 第四章 集成电路中的无源电阻包括（）。
  • 第四章 集成电路中电阻的设计依据考虑（）。
  • 第五章 集成电路中的电容包括（）。
  • 第五章 集成电路中的电感包括（）。
  • 第六章 在标准 CMOS 集成电路制造工艺下，二极管主要包括（）。
  • 第六章 电源线和地线的布线方式主要包括（）。
  • 第七章 标准双极型工艺的晶体管包括（）。
  • 第七章 BiCMOS 工艺的晶体管包括（）。
  • 第八章 特殊形状 MOS 晶体管的版图包括（）。
  • 第八章 MOS 晶体管的版图包括（）。

作图题​

作图题
  • 第六章 请画出标准 CMOS 工艺的环状结构二极管的版图示意图。
  • 第八章 请画出 N 阱 CMOS 集成电路工艺下的 NMOS 晶体管和 PMOS 晶体管的版图示意图。
  • 第八章 请画出三个 MOS 晶体管串联和并联的版图，考虑源漏共用技术。
  • 第八章 请画出数字集成电路中与或非门的电路图和版图。
  • 第八章 请画出三输入 CMOS 与非门和三输入 CMOS 或非门的电路图与棍棒图。

简答题、综述题​

简答题、综述题
  • 第三章 请简述在版图设计中常用的各个图层的作用
  • 第四章 请解释方块电阻及其使用方块电阻的意义。
  • 第四章 请解释集成电路中电阻的设计依据。
  • 第四章 请简述集成电路中常用的电阻匹配规则。
  • 第五章 请比较集成电路中的四种主要电容。
  • 第五章 请简述集成电路中电容的寄生效应与屏蔽方法。
  • 第五章 请简述集成电路中电容的匹配规则。
  • 第六章 请解释衬底二极管和阱二极管在集成电路中作用的区别。
  • 第六章 请分析静电放电对 MOS 集成电路的损坏。
  • 第六章 请画出静电放电保护电路示意图，并解释其工作原理。
  • 第七章 请解释发射极电流集边效应。
  • 第七章 请简述双极型晶体管版图基本设计规则。
  • 第八章 请简述 MOS 晶体管各个版图层的作用。
  • 第八章 请简述宽长比特别大的 MOS 晶体管版图的处理方法。
  • 第八章 请简述天线效应及避免方法。