集成电路制造工艺

注意

本章不考主观题。

1. 硅片制备主要包括（直拉法）、（磁控直拉法）和（悬浮区熔法）等三种方法。

2. 为什么氧化工艺通常采用干氧、湿氧相结合的方式？

   参考答案

   干氧氧化就是将干燥纯净的氧气直接通入到高温反应炉内，氧气与硅表面的原子反应生成二氧化硅。其特点：二氧化硅结构致密、均匀性和重复性好、针孔密度小、掩蔽能力强、与光刻胶粘附良好不易脱胶；生长速率慢、易龟裂不宜生长厚的二氧化硅。湿氧氧化就是使氧气先通过加热的高纯去离子水（95℃），氧气中携带一定量的水汽，使氧化气氛既含有氧，又含有水汽。因此湿氧氧化兼有干氧氧化和水汽氧化的作用，氧化速率和二氧化硅质量介于二者之间。实际热氧化工艺通常采用干、湿氧交替的方式进行。这种干氧一湿氧一干氧相结合的方式可获得结构致密、针孔密度小、质量好、适合光刻的二氧化硅薄膜，同时又能提高氧化速率，缩短氧化时间。

3. 半导体掺杂工艺主要包括（扩散）和（离子注入）两种。

4. 薄膜制备工艺主要包括（化学气相淀积）和（物理气相淀积）。

5. 化学气相淀积工艺主要包括（APCVD）、（LPCVD）和（PECVD）三种。

6. 物理气相淀积工艺主要包括（真空蒸镀）和（溅射）两种。

7. 简述光刻工艺的基本工艺流程。

   参考答案

8. 刻蚀工艺主要包括（干法刻蚀）和（湿法刻蚀）。